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详细讲解阿托斯ATOS意大利传感器的工作原理
点击次数:11 更新时间:2025-12-12

  意大利ATOS阿托斯压力传感器工作原理

  高精度测量:部分型号如 E-ATR-8/060/I 10,内置*的压阻式敏感元件,配合 24 位高分辨率 ADC 转换模块,可实现 0-60bar 量程内 ±0.1% FS 的测量精度。

  测量范围广:ATOS 压力传感器提供多种量程选择,常见的有 0-100bar、0-160bar、0-250bar、0-400bar 等,能够满足不同工业应用场景对压力测量范围的要求。

  抗过载能力强:传感器由内部电阻桥式电路组成,具有高抗过载及抗峰压的特点,部分型号的总线大过载压力可达 2 倍满量程,总线大爆裂压力可达 5 倍满量程。

  良好的环境适应性:以 E-ATR-8/060/I 10 为例,其 IP67 防护等级外壳可抵御粉尘侵入与短暂水浸,且在 - 20℃至 85℃温度范围内,通过内置温度传感器实时修正热效应误差,确保测量偏差≤0.05%/℃,适用于冶金、船舶等恶劣环境。

  多种输出模式:产品通常提供 4-20mA 电流环输出与 RS485 数字接口双模式,兼容 Modbus RTU 工业协议,方便用户与不同的控制系统进行连接和通信。

  智能功能丰富:一些型号支持与 ATOS 数字比例阀组成闭环控制系统,通过内置 PID 算法实现压力的动态调节,还具备零点校准、量程设定及诊断参数写入等功能,可显著缩短设备调试周期。

  响应速度快:例如 E-ATR-8/060/I 10 的上升时间<1ms,能够快速响应压力变化,有效避免传统机械式压力表滞后导致的过压风险。

  具备温漂补偿功能:ATOS 压力传感器通常带有温漂补偿功能,如 E-ATR-8/400/I 在零点和满度时的温度补偿最大均为≤±0.025% FS/℃,确保在不同温度环境下测量的准确性

  常见种类

  电阻式

  电阻式传感器是将被测量,如位移、形变、力、加速度、湿度、温度等这些物理量转换式成电阻值这样的一种器件。主要有电阻应变式、压阻式、热电阻、热敏、气敏、湿敏等电阻式传感器件。

  电阻应变式

  传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应,即在外力作用下产生机械形变,从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有金属和半导体两类,金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高(通常是丝式、箔式的几十倍)、横向效应小等优点。

  压阻式

  压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件,扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时,各电阻值将发生变化,电桥就会产生相应的不平衡输出。

  用作压阻式传感器的基片(或称膜片)材料主要为硅片和锗片,硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视,尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用最为普遍。

  热电阻

  热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。热电阻大都由纯金属材料制成,应用最多的是铂和铜,此外,已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。

  热电阻传感器主要是利用电阻值随温度变化而变化这一特性来测量温度及与温度有关的参数。在温度检测精度要求比较高的场合,这种传感器比较适用。较为广泛的热电阻材料为铂、铜、镍等,它们具有电阻温度系数大、线性好、性能稳定、使用温度范围宽、加工容易等特点。用于测量-200℃~+500℃范围内的温度。

  热电阻传感器分类:

  1、NTC热电阻传感器:

  该类传感器为负温度系数传感器,即传感器阻值随温度的升高而减小。

  2、PTC热电阻传感器:

  该类传感器为正温度系数传感器,即传感器阻值随温度的升高而增大。

  激光

  利用激光技术进行测量的传感器。它由激光器、激光检测器和测量电路组成。激光传感器是新型测量仪表,它的优点是能实现无接触远距离测量,速度快,精度高,量程大,抗光、电干扰能力强等。

  激光传感器工作时,先由激光发射二极管对准目标发射激光脉冲。经目标反射后激光向各方向散射。部分散射光返回到传感器接收器,被光学系统接收后成像到雪崩光电二极管上。雪崩光电二极管是一种内部具有放大功能的光学传感器,因此它能检测极其微弱的光信号,并将其转化为相应的电信号。

  利用激光的高方向性、高单色性和高亮度等特点可实现无接触远距离测量。激光传感器常用于长度(ZLS-Px)、距离(LDM4x)、振动(ZLDS10X)、速度(LDM30x)、方位等物理量的测量,还可用于探伤和大气污染物的监测等。

  霍尔

  霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。